一份報告警告指出，儘管西方國家成功阻止對中國出口最先進的光刻機，中方仍在進口舊設備並改良工藝，成功量產5納米芯片。專家建議新立法堵住相關漏洞。
根據報導，美國企業研究所發表的報告指出，中國芯片業者在舊型深紫外光浸沒式設備上通過「多重圖案化」成功重複曝光新工藝，實現接近最先進製程的芯片量產。研究指出，中芯國際早在2022年即運用升級工藝的方式量產了7奈米芯片，並在去年底實現了5奈米芯片的量產。
然而，相較台積電，這種生產方式的成本較高，且容易出錯，導致整體合格率較低。此外，由於生產步驟增加，製造成本因時間、材料與產能消耗增加而上漲，整體芯片產量難以有效擴大。
報告顯示，僅在2024年，中國企業就投資近90台深紫外光浸沒式光刻機，預估這些設備全速運轉後，每年可生產數百萬片先進芯片，成為華為昇騰人工智慧芯片擴產的關鍵。
極紫外光（EUV）光刻機是印刷全球最先進半導體芯片所需的設備，價值高達2.5億美元，外形如巴士般巨大。這些設備包含超過10萬個零件，且要求鏡面平滑度極高。
報告建議，應通過《MATCH法案》全面禁止向中國銷售前代光刻設備，禁止對已安裝設備進行維修，並制裁華為、中芯國際等相關實體。該法案被認為有助阻止中國未來數年大幅提升先進芯片自產能力，空前挑戰全球人工智慧（AI）硬件市場競爭格局。
